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    無塵無氧烘箱在晶圓級封裝工藝的應用

    更新時間:2023-03-20   點擊次數:501次

    無塵無氧烘箱在晶圓級封裝工藝的應用

    晶圓級封裝工藝流程:


    1、涂覆第一層聚合物薄膜,以加強芯片的鈍化層,起到應力緩沖的作用。聚合物種類有光敏聚酰亞胺(PI)、苯并環丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)。


    2、重布線層(RDL)是對芯片的鋁/銅焊區位置重新布局,使新焊區滿足對焊料球最小間距的要求,并使新焊區按照陣列排布。光刻膠作為選擇性電鍍的模板以規劃RDL的線路圖形,最后濕法蝕刻去除光刻膠和濺射層。


    3、涂覆第二層聚合物薄膜,是圓片表面平坦化并保護RDL層。在第二層聚合物薄膜光刻出新焊區位置。


    4、凸點下金屬層(UBM)采用和RDL一樣的工藝流程制作。


    5、植球。焊膏和焊料球通過掩膜板進行準確定位,將焊料球放置于UBM上,放入回流爐中,焊料經回流融化與UBM形成良好的浸潤結合,達到良好的焊接效果。


      以上聚合物薄膜工藝中的PI/BCB/PBO聚合物固化過程中無塵無氧烘箱是必要的生產設備。

    無塵無氧烘箱技術要求:


    溫度范圍:RT+50~350/450/550℃

    工作室尺寸(cm):W50×D50×H50;可定制

    氧含量指標:≤ 50ppm ,實時檢測

    潔凈度:class100/1000

    控溫方式:曲線升溫模式;

    控溫段數:多段數,多工藝;

    氮氣控制:可調式氮氣流量計,全程通氮氣。

    輔助降溫:風冷/水冷等快速降溫裝置


    真空無塵無氧烘箱

    溫度范圍:RT+50~350/450/550℃

    工作室尺寸(cm):W50×D50×H50;可定制

    氧含量指標:≤ 50ppm,實時檢測

    潔凈度:class100/1000

    控溫方式:曲線升溫模式;

    控溫段數:多段數,多工藝;

    氮氣控制:可調式氮氣流量計,全程通氮氣。

    輔助降溫:風冷/水冷等快速降溫裝置

    真空度:1torr

    真空泵:渦旋無油泵


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